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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SFF4N60E

4A,600V N-CHANNEL MOSFET

SFF4N60E N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成。具有低导通损耗，耐高压，抗冲击能力强等特点。

HI-SEMICON

深鸿盛电子

MGP4N60E

Insulated Gate Bipolar Transistor

Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications

ONSEMI

安森美半导体

MGP4N60E

Insulated Gate Bipolar Transistor

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MOTOROLA

摩托罗拉

MGP4N60ED

Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode

Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–block

ONSEMI

安森美半导体

PHB4N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

文件：80.57 Kbytes Page：9 Pages

PHILIPS

飞利浦

PHP4N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

文件：80.57 Kbytes Page：9 Pages

PHILIPS

飞利浦

SFF4N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • Channel：

    N

  • VDS[max] (V)：

    600

  • VGS(V)：

    ±30

  • ID[max](25℃) (A)：

    4

  • PD[25℃] (W)：

    33

  • VGS(th)[min] (V)：

    2.0

  • VGS(th)[max] (V)：

    4.0

  • RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)：

    2

  • Ciss(typ)(pF)：

    405

  • QG[typ](nC)：

    12.7

SFF4N60E供应商更多...

更新时间：2026-5-18 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
SFF501
ISC/固电
23+
TO-220F-3
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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现代芯城（深圳）科技有限公司
SFF504G
26+
N/A
74000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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深圳市博中泰实业有限公司
SFF4N65IC
国产
25+
TO-220F
90000
全新原装现货
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京海半导体(深圳)有限公司
SFF504G
TSC
25+
TO-220F
10000
原装现货假一罚十
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深圳市恒创达实业有限公司
SFF502G
TSC
17+
TO220F-3
6200
询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司
SFF502G
TSC
26+
TO-247
86720
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百
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艾睿（深圳）半导体有限公司
SFF504G
TSC
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TO-220F
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深圳市威雅利发展有限公司
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TO-220F
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深圳市威尔健半导体有限公司
SFF4N65IC
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TO-220F
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司
SFF504G
TSC
25+
TO-220F
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SFF4N60E规格书下载地址

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