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SE30P12

P MOSFET

SINO-IC

光宇睿芯微

P MOSFET

SINO-IC

光宇睿芯微

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30P12BS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON)

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LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

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更新时间:2025-12-29 14:20:00
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