| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LCE30P12S | LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：962.79 Kbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |   | |
LCE30P12S | MOSFET场效应管 | LEIDITECH 雷卯电子 | | |
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P12BS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON) | NCEPOWER 新洁能 | | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：370.74 Kbytes Page：7 Pages | NCEPOWER 新洁能 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00265 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：962.79 Kbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-7-2
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