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SDD313F晶体管资料

  • SDD313F别名:SDD313F三极管、SDD313F晶体管、SDD313F晶体三极管

  • SDD313F生产厂家:中国大陆半导体企业

  • SDD313F制作材料

  • SDD313F性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • SDD313F封装形式:直插封装

  • SDD313F极限工作电压:60V

  • SDD313F最大电流允许值:3A

  • SDD313F最大工作频率:<1MHZ或未知

  • SDD313F引脚数:3

  • SDD313F最大耗散功率:30W

  • SDD313F放大倍数

  • SDD313F图片代号:B-91

  • SDD313Fvtest:60

  • SDD313Fhtest:999900

  • SDD313Fatest:3

  • SDD313Fwtest:30

  • SDD313F代换 SDD313F用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor . . . designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio. • Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics — Output Power = 1.0 Watt Power Gain = 15 dB Min Efficienc

MOTOROLA

摩托罗拉

Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise, VHF Mixer and VHF/RF Amp

Description: The NTE 313 is a silicon NPN transistor specifically designed for VHF mixer and VHF/RF amplifier applications. This device features high power gain, low noise, and excellent forward AGC characteristics.

NTE

PIN Photodiode

PIN Photodiode For optical control systems Features • Fast response which is well suited to high speed modulated light detection : tr, tf = 50 ns (typ.) • High sensitivity, high reliability • Peak sensitivity wavelength matched with infrared light emitting diodes : λP = 960 nm (typ.) • Wide

PANASONIC

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文件:126.55 Kbytes Page:4 Pages

NSC

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NSC

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更新时间:2026-5-17 16:20:02
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