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FCH110N65F	N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCH110N65F	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 110mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
FCP110N65F	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 110mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
DAM110N65G	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：236.47 Kbytes Page：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
FCB110N65F	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.55 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-12-28 23:37:01

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SCF47B-600-2R2C0005JH
优势渠道
2023-2-21
SCF25XV-220-1R9A007JV
SCF25XV-220-1R9A007JV
2023-1-29
SCD40-D-R2
SCD40-D-R2
2022-10-8
SCF012-1206RB
属性参数值最大电压 30V 保持电流 200mA 最大电流 100A 跳闸电流 400mA
2021-10-16
SCE016XD2DB1S
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2021-4-27
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2020-8-30