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FCH110N65F价格
参考价格:¥23.4303
型号:FCH110N65F_F155 品牌:Fairchild Semiconductor 备注:这里有FCH110N65F多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FCH110N65F批发/采购报价,FCH110N65F行情走势销售排行榜,FCH110N65F报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FCH110N65F | N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
FCH110N65F | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 110mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 | ||
FCH110N65F | 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,35 A,110 mΩ,TO-247 | ONSEMI 安森美半导体 | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 110mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件:236.47 Kbytes Page:4 Pages | DACO 罡境电子 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:298.55 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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FSC/ON |
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49 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ONSemiconductor |
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NA |
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进口原装正品优势供应 |
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2024-2-26FCB110N65F ;TO263正品货源供应商报价中文资料。
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2021-10-20FCI连接器10120667-301LF原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729
2019-12-11FCI连接器61082-121602LF公司优势库存
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2019-12-11FCI连接器61082-083402LF原装现货
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2019-12-11FCBS0550-智能功率模块(SPM)
一般描述 它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204(SPM27- BA的包) •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15
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