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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-29 21:06:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
xilinx
22+
SMD
6800
TOSHIBA
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA
23+
高频管
850
专营高频管模块,全新原装!
TOSHIBA/东芝
25+
1200
全新原装现货,价格优势
TOSHIBA
25+
微波高频管
2
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
CRRC/中车
24+
MODULE
1000
全新原装现货
台湾寰达/DIPTRONICS
2450+
DIP
6540
只做原厂原装现货或订货假一赔十!
TIM
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
21+
标准封装
150
进口原装,订货渠道!
TOSHIBA
22+
20000
公司只做原装 品质保证

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