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MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ・BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ・HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat9.5GHzto10.5GHz ・HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.5GHzto10.5GHz ・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=38dBm(SingleCarrierLevel) ・HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-9-23 11:34:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
1200
全新原装现货,价格优势
TOSHIBA
21+
20
原装现货假一赔十
DIP
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TOSHIBA
2018+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
TOSHIBA
11+
SMD
8000
全新原装,绝对正品现货供应
TIM
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证
TOSHIBA/东芝
2122+
29860
原包装进口假一赔十
TOSHIBA
2016+
QFN
6528
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品!
TOSHIBA/东芝
2021+
3000
十年专营原装现货,假一赔十

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