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TIM0910-30L

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-5 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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