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TIM0910-30L中文资料

厂家型号

TIM0910-30L

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6

功能描述

MICROWAVE POWER GaAs FET

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TIM0910-30L数据手册规格书PDF详情

FEATURES

・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET

・HIGH POWER

P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz

・HIGH GAIN

G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz

・LOW INTERMODULATION DISTORTION

IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level)

・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

更新时间:2025-10-17 8:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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