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2SD2166Q中文资料
2SD2166Q数据手册规格书PDF详情
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.25V (Typ.)
(IC / IB = 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain charac teristics.
3) Complements the
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
更新时间：2025-10-12 13:58:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
25+ |
TO-126 |
19850 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
ROHM |
2008+ |
TO-126 |
3970 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ROHM |
13+ |
SOT-89 |
3258 |
原装分销 |
|||
ROHM |
2016+ |
SOT-89 |
11000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-89 |
15100 |
新进库存/原装 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-89 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
ROHM |
25+ |
SOT-89 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电 |
|||
ROHM |
1922+ |
SOT-89 |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
ROHM |
SOT89 |
05+PB |
2255 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
ROHM |
23+ |
05+PB |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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