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2SD2163中文资料

厂家型号

2SD2163

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功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED HIGH-CURRENT SWITCHING

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD2163数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• High DC Current Gain-

: hFE = 1000(Min)@ IC= 10A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = 100V(Min)

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Be ideal for direct driving from the IC output of devices

such as pulse motor drivers and relay drivers of PC terminals.

2SD2163产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2163

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED HIGH-CURRENT SWITCHING

更新时间:2020-4-2 17:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NEC
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