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RJP30E3DPK-M0中文资料
RJP30E3DPK-M0数据手册规格书PDF详情
Features
• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
RJP30E3DPK-M0产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJP30E3DPK-M0
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
更新时间：2025-10-5 9:29:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
TO-3P |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS |
2023+ |
T0-3P |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
23+ |
T0-3P |
85755 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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RENESAS |
24+ |
T0-3P |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
RENESAS |
20+ |
T0-3P |
85755 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
24+ |
T0-3P |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
|||
RENESAS |
25+ |
T0-3P |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
24+ |
T0-3P |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS |
2511 |
T0-3P |
85755 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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