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RJP30E2DPP-M0中文资料
RJP30E2DPP-M0数据手册规格书PDF详情
1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching tf = 150 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL
RJP30E2DPP-M0产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJP30E2DPP-M0
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
更新时间：2025-10-5 14:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
24+ |
TO-220F |
8150 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
RENESAS |
1932+ |
TO-220F |
480 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-3P |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-220F |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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RENESAS |
20+ |
TO-3P |
10480 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-3P |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
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RENESAS |
2511 |
TO-3P |
10480 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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RJP30E2DPP-M0 芯片相关型号
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