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NESG3033M14中文资料

厂家型号

NESG3033M14

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16

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NESG3033M14数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

NESG3033M14产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG3033M14

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

更新时间:2025-10-12 10:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
SOT163
30000000
原装进口中国百强元器件分销企业 专注RENESAS十年 公司大量RENESAS现货 欢迎您的咨询 百年不变 服务至上
RENESAS/瑞萨
24+
65200
RENESAS
2025+
SOT23
3365
全新原厂原装产品、公司现货销售
RENESAS
25+
SOT23-3
8800
公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
24+
SOT23-3
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
2511
SOT23-3
107
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
20+
SOT23-3
107
进口原装现货,假一赔十
RENESAS/瑞萨
24+
SOT23-3
60000
全新原装现货
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-343
27000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种