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NESG3032M14-T3-A中文资料
NESG3032M14-T3-A数据手册规格书PDF详情
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)
FEATURES
• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz
• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)
NESG3032M14-T3-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG3032M14-T3-A
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
11845 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT-343 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
RENESAS |
22+23+ |
SOT-343 |
8000 |
新到现货,只做原装进口 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT-343 |
11845 |
进口原装 |
|||
RENESAS |
20+ |
SOT-343 |
11845 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT-343 |
5000 |
只有原装 |
|||
RENESAS |
25+ |
SOT-343 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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- P6SMB24A
- P6SMB510A
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- STD02Y7
- UC3844B
Datasheet数据表PDF页码索引
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为