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NESG3032M14-T3中文资料

厂家型号

NESG3032M14-T3

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15

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NESG3032M14-T3数据手册规格书PDF详情

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

NESG3032M14-T3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG3032M14-T3

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

更新时间:2025-10-12 10:46:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
RENESAS
25+
SOT343
60000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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原厂原装正品
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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SOT343
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全新原装正品现货,支持订货
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进口原装现货,假一赔十
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RENESAS
24+
SOT343
16900
原装正品现货支持实单