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NESG3032M14-A中文资料
NESG3032M14-A数据手册规格书PDF详情
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)
FEATURES
• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz
• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)
NESG3032M14-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG3032M14-A
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
1948+ |
SOT23-4 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT343 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
11+ |
SOT343 |
16585 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT343 |
9949 |
原厂原装正品 |
|||
RENESAS |
2023+ |
SOT343 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
67974 |
进口原装 |
|||
RENESAS |
20+ |
SOT343 |
67974 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
25+ |
SOT343 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 114531条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
