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NESG3032M14-A中文资料

厂家型号

NESG3032M14-A

文件大小

168.45Kbytes

页面数量

15

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator

数据手册

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简称

RENESAS瑞萨

生产厂商

Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NESG3032M14-A数据手册规格书PDF详情

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

NESG3032M14-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG3032M14-A

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-6-11 14:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
1948+
SOT23-4
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
RENESAS
24+
SOT343
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
RENESAS
23+
SOT343
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
11+
SOT343
16585
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
SOT343
9949
原厂原装正品
RENESAS
2023+
SOT343
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
24+
SOT343
67974
进口原装
RENESAS
20+
SOT343
67974
进口原装现货,假一赔十
RENESAS
25+
SOT343
8800
公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
23+
SOT-343
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 114463条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为