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NESG3032M14-A中文资料

厂家型号

NESG3032M14-A

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15

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NESG3032M14-A数据手册规格书PDF详情

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

Amplification 4-Pin Lead-Less Minimold (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The NESG3032M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

NESG3032M14-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG3032M14-A

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 NPN Germanium Amp & Oscillator

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-11 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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