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NESG3031M05-T1中文资料

厂家型号

NESG3031M05-T1

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3

功能描述

NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR

Si Small Signal Bipolar Trans

数据手册

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生产厂商

NEC

NESG3031M05-T1数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• LOW NOISE FIGURE AND HIGH-GAIN

NF= 0.95 dB TYP, Ga= 10 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.2 GHz

NF= 1.1 dB TYP, Ga= 9.5 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.8 GHz

• MAXIMUM STABLE POWER GAIN:

MSG = 14.0 dB TYP @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe HBT TECHNOLOGY:

USH3 process, fmax = 110 GHz

• M05 PACKAGE:

Flat-lead 4 pin thin-type super minimold package

NESG3031M05-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG3031M05-T1

  • 制造商

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述

    Si Small Signal Bipolar Trans

更新时间:2025-10-12 17:53:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC原装正品专卖价格
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SOT343
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