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4 W L, S-BAND POWER GaAs FET
N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6500496 is power GaAs FET which provides high
gain, high efficiency and high output power in L, S band.
To reduce thermal resistance, the device has a PHS
(Plated Heat Sink) structure.
FEATURES
• Class A operation
• High output power: 36 dBm (typ)
• High gain: 11.5 dB (typ)
• High power added efficiency: 45 (typ)
• Hermetically sealed ceramic package
NE6500496产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE6500496
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
NEC |
23+ |
26520 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
NEC |
24+ |
265 |
现货供应 |
||||
NEC |
24+ |
NA/ |
3257 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
原厂正品 |
23+ |
十字架 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
NEC |
24+ |
3M |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
原装 |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
|||
NEC |
2138+ |
8960 |
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十 |
||||
CEL |
22+ |
3M |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 113939条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
