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NE6500179A中文资料

厂家型号

NE6500179A

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176.33Kbytes

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10

功能描述

N-CHANNEL GaAs MES FET

Discrete

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NE6500179A数据手册规格书PDF详情

1 W L-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE6500179A is a 1 W GaAs MES FET designed for middle power transmitter applications for mobile

communication handset and base station systems. It is capable of delivering 1 W of output power (CW) with high

linear gain, high efficiency and excellent distortion.

Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.

FEATURES

• High output power: PO (1 dB) = 30.0 dBm TYP.

• High linear gain: GL = 12.0 dB TYP.

• High power added efficiency: ηadd = 50 TYP. @ VDS = 6.0 V, IDset = 200 mA, f = 1.9 GHz

NE6500179A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE6500179A

  • 功能描述

    Discrete

更新时间:2025-5-22 10:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113957条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为