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NE3515S02-T1D中文资料
NE3515S02-T1D产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3515S02-T1D
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2025-10-7 23:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
SO2 |
8188 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
RENESAS |
23+ |
SO2 |
20000 |
||||
RENESAS |
2023+ |
SO2 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
24+ |
SO2 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
RENESAS |
24+ |
SO2 |
5000 |
只有原装 |
|||
RENESAS |
24+ |
SO2 |
8000 |
原装，正品 |
|||
RENESAS |
24+ |
SO2 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
RENESAS |
24+ |
SO2 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S02 |
2000 |
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- FYS-12011DX-23
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- FYS-12012BX-23
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- FYS-30011BX-10
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Datasheet数据表PDF页码索引
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