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NE3515S02-T1C-A中文资料

厂家型号

NE3515S02-T1C-A

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415.03Kbytes

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9

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic

数据手册

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生产厂商

CEL

NE3515S02-T1C-A数据手册规格书PDF详情

X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

FEATURES

• Super low noise figure, high associated gain and middle output power

NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA

PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF)

• Micro-X plastic (S02) package

APPLICATIONS

• X to Ku-band local buffer amplifier, PA driver amplifier, low noise amplifier, mixer

• DBS LNB, VSAT

• Other X to Ku-band communication systems

NE3515S02-T1C-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3515S02-T1C-A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-8 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
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NE3515S02-T1C-A 价格

参考价格:¥6.9323

型号:NE3515S02-T1C-A 品牌:CEL 备注:这里有NE3515S02-T1C-A多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NE3515S02-T1C-A批发/采购报价,NE3515S02-T1C-A行情走势销售排排榜,NE3515S02-T1C-A报价。