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NE3514S02-T1D中文资料

厂家型号

NE3514S02-T1D

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8

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

数据手册

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生产厂商

CEL

NE3514S02-T1D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3514S02-T1D

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-11-28 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
1006+
SMD
28895
原装正品 可含税交易
RENESAS
19+
SMD
8650
原装正品,现货热卖
RENESAS/瑞萨
21+
SMD
10000
原装现货假一罚十
NEC
23+
26000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
RENESAS
1211+
SMD
428
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
SMD
2928
原厂原装正品
NEC
24+
NA/
350
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS
2023+
SMD
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NEC
23+
MSD
8000
只做原装现货
NEC
24+
SMD
990000
明嘉莱只做原装正品现货