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NE3515S02-A中文资料
NE3515S02-A数据手册规格书PDF详情
X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
• Super low noise figure, high associated gain and middle output power
NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA
PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF)
• Micro-X plastic (S02) package
APPLICATIONS
• X to Ku-band local buffer amplifier, PA driver amplifier, low noise amplifier, mixer
• DBS LNB, VSAT
• Other X to Ku-band communication systems
NE3515S02-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3515S02-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS(最大值/最小值)
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CEL |
1332+ |
114 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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CEL |
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CEL |
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CEL |
22+ |
S02 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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CEL |
23+ |
S02 |
9000 |
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RENESAS |
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NA |
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RENESAS |
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RENESAS |
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NA |
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NE3515S02-A 价格
参考价格:¥10.6340
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- P97
California Eastern Labs
California Eastern Labs(CEL)成立于1959年。它拥有60多年的射频/无线经验,为需要无线通信的原始设备制造商提供世界级的无线和光学产品以及专业支持。它提供广泛的技术支持,包括详细的文档、设备测试、评估板、软件和开发工具、设计评审、最终产品性能验证。连接团队提供行业领先的性能和高质量的嵌入式无线电,组件组专注于射频/微波开关和低噪声场效应晶体管。支持团队位于北美。它的使命是让客户成功。它在模块设计、天线性能、最终产品测试、工程与支持、质量与可靠性以及嵌入式软件方面拥有专业知识。它受到了许多客户的赞扬。它的愿景是成为无线控制领域的领导者,其使命是提供高质量的产品和客户服