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RM10N600LD中文资料

厂家型号

RM10N600LD

丝印代码

10N600

封装外壳

TO-252-2L

文件大小

1861.87Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM10N600LD数据手册规格书PDF详情

General Description

The RM10N600LD use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent RDS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

Features

VDS =600V,ID =10.2A

RDS(ON) =268mΩ (typical) @ VGS=10V

New technology for high voltage device

Low on-resistance and low conduction losses

Small package

Ultra Low Gate Charge cause

100% Avalanche Tested

ROHS compliant

Halogen-free

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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