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RM10N100LD中文资料

厂家型号

RM10N100LD

丝印代码

10N100

封装外壳

TO-252-2L

文件大小

418.13Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

RECTRON

RM10N100LD数据手册规格书PDF详情

General Features

Vos =100Vl0 =10A

Rosin) < 130mQ @ Ves=10V _ (Typ:95m@)

Rosin) < 140mQ @ Vos=4.5V (Typ:100me))

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stabiity and uniformity with high Exs.

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capabilty

更新时间:2026-5-24 11:06:00
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