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RM10N100LD中文资料

厂家型号

RM10N100LD

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9

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM10N100LD数据手册规格书PDF详情

General Features

Vos =100Vl0 =10A

Rosin) < 130mQ @ Ves=10V _ (Typ:95m@)

Rosin) < 140mQ @ Vos=4.5V (Typ:100me))

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stabiity and uniformity with high Exs.

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capabilty

更新时间:2025-10-12 11:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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