型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RU40191S

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:634.66 Kbytes Page:8 Pages

RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司

RUICHIPS
更新时间:2025-8-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RUHIPS/锐骏
24+
NA/
969
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RU
20+
TO-220
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
Ruichip
24+
TO-263
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
锐骏
21+
TO-263
28000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
锐骏品牌
1948+
TO-263
18562
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
RUICHIPS
24+
TO-263
60000
原装现货
锐骏
23+
TO-263
20000
RUICHIPS
23+
TO263
9000
全新原装现货,假一赔十
RU
18+
TO-220
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
RUICHIPS
TO-263
22+
56000
全新原装进口,假一罚十

RU40191S芯片相关品牌

  • ANALOGICTECH
  • ASTRODYNE
  • CT
  • DSK
  • EIC
  • EMCORE
  • EXXELIA
  • MTRONPTI
  • NTE
  • P-TEC
  • WECO
  • Yamaha

RU40191S数据表相关新闻

  • RU40191S

    RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。

    2022-11-23
  • RU40120M

    RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA N 沟道,40V,120A,2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS

    2022-11-23
  • RU3560L

    RU3560L,场效应管(MOSFET)

    2022-6-12
  • RU40C40L4

    RU40C40L4,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-20
  • RU40280R

    RU40280R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-1
  • RU40120R

    RU40120R ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-1