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RU40120R	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：281.23 Kbytes Page：9 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU40120R	Trench MOSFET	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
CGH40120F	120 W, RF Power GaN HEMT Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGH40120P	120 W, RF Power GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high ga	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGH40120F	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	Cree 科锐	Cree
CGH40120F-AMP	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	Cree 科锐	Cree
CGH40120F-TB	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	Cree 科锐	Cree

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更新时间：2025-9-22 23:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市纳艾斯科技有限公司	RU40120R	Ruichip	24+	TO-220	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	RU40120R	RUICHIPS	24+	TO-220	60000	原装现货	询价
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RU40191S
RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N 沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40280R
RU40280R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1
RU40120R
RU40120R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1