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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
RU3Z	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

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更新时间：2024-4-16 18:19:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	RU40120M	锐骏品牌	1948+	DFN5060	18562	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	RU40120M	RUICHIPS	20+	DFN56	32550	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	RU40120M	锐骏	21+	PDFN5060	76000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市华博特电子有限公司	RU40120M	Ruichips	23/22+	DFN5060	10	代理渠道.实单必成	询价
深圳市九方航科技有限公司	RU40120M	VBSEMI	19+	DFN56	29600	绝对原装现货,价格优势!	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	RU40120M	RUICHIPS		DFN5060	90000	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
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RU40191S
RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120MN沟道40V120APDFN5060场效应管 RU40120MN沟道漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：120A功率(Pd)：96W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uAN沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M封装:PDFN5060N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1