型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RU3MG

ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLTAGE: 1000V CURRENT: 1.5A

FEATURE Lowpowerloss Highsurgecapability Ultra-fastrecoverytimeforhighefficiency Hightemperaturesolderingguaranteed 250℃/10sec/0.375″leadlengthat5lbstension

GULFSEMIGulf Semiconductor

海湾电子海湾电子(山东)有限公司

GULFSEMI

RU3MG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RU3MG

  • 制造商

    GULFSEMI

  • 制造商全称

    Gulf Semiconductor

  • 功能描述

    ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER

  • VOLTAGE

    1000V

  • CURRENT

    1.5A

更新时间:2025-6-24 19:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RUICHIPS
24+
DFN5060
60000
原装现货
VISHAY/威世
24+
DO-15
50000
只做原装,欢迎询价,量大价优
VISHAY/威世
24+
DO-15
50000
全新原装,一手货源,全场热卖!
BILIN
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
RUICHIPS
20+
DFN56
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
SANKEN
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
VISHAY/威世
21+
DO-15
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
SANKEN
TP
56520
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
VISHAYMAS
25+23+
DO-15
25208
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
SANKEN
21+
DIP
4580
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

RU3MG芯片相关品牌

  • ABRACON
  • AD
  • BARRY
  • HAMMOND
  • HMSEMI
  • Motorola
  • NIC
  • Sipex
  • STMICROELECTRONICS
  • SUNMATE
  • Temic
  • TRACOPOWER

RU3MG数据表相关新闻

  • RU40191S

    RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。

    2022-11-23
  • RU40120M

    RU40120MN沟道40V120APDFN5060场效应管 RU40120MN沟道漏源电压(Vdss):40V连续漏极电流(Id):120A功率(Pd):96W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uAN沟道,40V,120A,2.7mΩ@10V RU40120M封装:PDFN5060N沟道高级功率MOS

    2022-11-23
  • RU3560L

    RU3560L,场效应管(MOSFET)

    2022-6-12
  • RU3415BC

    RU3415BC,SOT23-3,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-17
  • RU3415B

    RU3415B,SOT23,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-17
  • RU40120R

    RU40120R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-1