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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
3E7	Materialspecification 文件：49.28 Kbytes Page：4 Pages	FERROXCUBEFERROXCUBE INC. 飞磁
UN3E7	3-ElectrodeGasDischargeTube 文件：827.53 Kbytes Page：4 Pages	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

RU3E7H供应商更多...

更新时间：2024-6-22 11:21:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市航宇科工半导体有限公司	UN3E8-230H	SOCAY(硕凯)	21+	SMD,8x10mm	4000	中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UN3E7-90H,3R90	SG		DIP	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市辰德隆电子科技有限公司	UN4111	PANASONIC/松下	23+	TO92	6000	只有原装正品,老板发话合适就出	询价
艾睿国际（香港）有限公司	UN4111(TA)	PANASONIC/松下	2021+	TO-92S	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市星佑电子有限公司	UN4111(TA)	PANASONIC	05+	原厂原装	3051	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	UN3rA	DIODES/美台	23+	SC70-5	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	UN4112	松下	23+	TO-92S	12523		询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	UN3E8-150HM	BTLFUSE	1911+	DIP	999999	原装房间现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	UN411	PANASONIC	03+	TO-92S	10000		询价
深圳市富安睿科技有限公司	UN401	PANASONIC	21+	SOT24	6000	绝对原裝现货	询价

RU40191S
RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120MN沟道40V120APDFN5060场效应管 RU40120MN沟道漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：120A功率(Pd)：96W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uAN沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M封装:PDFN5060N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1