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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
3E7	Material specification 文件：49.28 Kbytes Page：4 Pages	FERROXCUBE	FERROXCUBE
UN3E7	3-Electrode Gas Discharge Tube 文件：827.53 Kbytes Page：4 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI

RU3E7H供应商更多...

更新时间：2025-12-27 22:50:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海意淼电子科技有限公司	UN401	PANASONIC	23+	SOT23-4	20000	全新原装假一赔十	询价
深圳市益百分电子有限公司	UN401	PANASONIC	07+	SOT23-4	2550	全新原装进口自己库存优势	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UN3E7-90H,3R90	SG	23+	DIP	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	UN3E8-150H	UN SEMICONDUCTOR	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
上海专毅电子科技有限公司	UN401	PANASONIC	17+	SOT23-4	9988	只做原装进口,自己库存	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	UN3rA	DIODES/美台	25+	SC70-5	15000	全新原装现货,价格优势	询价

RU40191S
RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N 沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1