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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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RU3BZ | HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0 | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司 |
RU3BZ产品属性
- 类型
描述
- 型号
RU3BZ
- 制造商
BILIN
- 制造商全称
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
- 功能描述
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Sanken Electric |
23+ |
TO-18 |
12800 |
原装正品代理商最优惠价格,现货或订货 |
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SANKEN |
05+ |
原厂原装 |
1051 |
只做全新原装真实现货供应 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
DO-15 |
50000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
|||
SANKEN |
TP |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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GULF |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
SANKEN |
2020+ |
DO-15 |
6500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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SANKEN |
21+ |
DIP |
4580 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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SANKEN |
25+ |
DIP |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
DO-15 |
50000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
|||
sanken |
1923+ |
na |
10000 |
只做原装特价 |
RU3BZ规格书下载地址
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RU3BZ数据表相关新闻
RU40191S
RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。
2022-11-23RU40120M
RU40120MN沟道40V120APDFN5060场效应管 RU40120MN沟道漏源电压(Vdss):40V连续漏极电流(Id):120A功率(Pd):96W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uAN沟道,40V,120A,2.7mΩ@10V RU40120M封装:PDFN5060N沟道高级功率MOS
2022-11-23RU3560L
RU3560L,场效应管(MOSFET)
2022-6-12RU3415BC
RU3415BC,SOT23-3,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.
2021-2-17RU3415B
RU3415B,SOT23,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.
2021-2-17RU40120R
RU40120R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1
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