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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
RU3BZ	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

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更新时间：2024-5-10 21:46:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	RU3MV1	SANKEN	07+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	RU3MTVS	SANKEN	21+	DIP	4580	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	RU3D	VISHAYMAS	22+23+	DO-15	50751	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市维尔达电子有限公司	RU3MV1	SANKEN	2023+	NA	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市赛美科科技有限公司	RU3Y	SANKEN		TP	56520	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	RU3MV1	SANKEN	21+	NA	35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市星佑电子有限公司	RU3YX	SANKEN	05+	原厂原装	1051	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市惊羽科技有限公司	RU3-G91A1D11	UDE-涌德电子	24+25+/26+27+	RJ45.连接器	12680	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	RU3C	SANKEN	2020+	DO-15	6500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

RU40191S
RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120MN沟道40V120APDFN5060场效应管 RU40120MN沟道漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：120A功率(Pd)：96W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uAN沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M封装:PDFN5060N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1