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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：475.73 Kbytes Page：12 Pages | RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司 |  |   | |
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.47358 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | | |
N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：475.73 Kbytes Page：12 Pages | RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司 | | | |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed | AnalogPower Analog Power |  | | |
General Purpose Packaging Tape 文件：14.65 Kbytes Page：2 Pages | 3M 3M Electronics |  | | |
Nytye®Mounting Platforms 文件：241.29 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 |  | | |
Secondary Side Synchronous Post Regulator 文件：226.91 Kbytes Page：12 Pages | LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体 |  | | |
59A100V N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 文件：278.19 Kbytes Page：7 Pages | KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 |  | |
RU3710产品属性
- 类型
描述
- 型号
RU3710
- 制造商
RUICHIPS
- 制造商全称
RUICHIPS
- 功能描述
N-Channel Advanced Power MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
锐俊 |
20+ |
TO-263 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
锐俊 |
24+ |
NA/ |
22800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
SIYU/SANKEN |
25+ |
DO-15 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
SIYU/SANKEN |
24+ |
DO-15 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
锐俊 |
25+ |
TO-263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
DO-201AD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
SanKen |
18+ |
Axial-8 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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RUICHIPS |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
VISHAYMAS |
25+23+ |
DO-201AD |
53400 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-201AD |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
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RU40191S
RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23RU40120M
RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N 沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS
2022-11-23RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17RU40120R
RU40120R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1
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