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RU3568L	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：283.77 Kbytes Page：9 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU3568L	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：888.34 Kbytes Page：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RU3568L	Trench MOSFET	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
HLMP-3568	T-13/4 (5 mm) Low Profile LED Lamps Description The HLMP-335X/-336X Series are Gallium Arsenide Phosphide on Gallium Phosphide High Efficiency Red Light Emitting Diodes. Features • High Intensity • Low Profile: 5.8 mm (0.23 in.) Nominal • T-13/4 Diameter Package • Diffused and Non-diffused Types • General Purpose Leads • IC	HP 安捷伦	HP
PN3568	NPN SILICON TRANSISTOR SILICON NPN TRANSISTOR PN3568 is NPN silicon planar epitaxial transistor designed for amplifier and switching applications for collector current up to 500mA.	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
PN3568	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)	CENTRAL	CENTRAL
PN3568	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose, medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 500mA.	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MPS3568C	NPN TRANSISTOR 文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

RU3568L供应商更多...

更新时间：2026-3-15 8:31:00

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RU40191S
RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N 沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1