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更新时间：2024-9-22 23:00:01

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RU40191S
RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120MN沟道40V120APDFN5060场效应管 RU40120MN沟道漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：120A功率(Pd)：96W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uAN沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M封装:PDFN5060N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1