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RS4N65MD

650V N Channel MOSFET

REASUNOS

瑞森半导体

4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 4N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFETis usually used in high speed switching applications includ

UTC

友顺

Drain Current ID= 4A@ TC=25C

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ISC

无锡固电

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL POWER MOSFET

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ZSELEC

淄博圣诺

650V N-Channel Power MOSFET

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DYELEC

迪一电子

更新时间:2025-12-26 23:01:00
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RUNIC(润石)
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QFN-16L(2.5x3.5)
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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