RSD080P05TL

时间:2019-8-29 17:41:00

MOSFET TRNSISTR 4V DRVE PCH MOSFET CPT PKG

制造商: ROHM Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 45 V

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 15 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: RSD080P05

晶体管类型: 1 P-Channel

商标: ROHM Semiconductor

下降时间: 20 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 50 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: RSD080P05

单位重量: 340 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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2025-11-16 19:10:00
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