位置：首页 > IC中文资料第6327页 > RN1202
RN1202晶体管资料
RN1202别名：RN1202三极管、RN1202晶体管、RN1202晶体三极管
RN1202生产厂家：日本东芝公司
RN1202制作材料：Si-N+R
RN1202性质：表面帖装型 （SMD）
RN1202封装形式：直插封装
RN1202极限工作电压：50V
RN1202最大电流允许值：0.1A
RN1202最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1202引脚数：3
RN1202最大耗散功率：0.1W
RN1202放大倍数：
RN1202图片代号：A-57
RN1202vtest：50
RN1202htest：999900
- RN1202atest：0.1
RN1202wtest：0.1
RN1202代换 RN1202用什么型号代替：RN1002,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1202 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications • With built-in bias resistors. • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN2201~2206 | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1202 | COLOR TELEVISION N1PS Chassis 文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
RN1202 | COLOR TELEVISION 文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
RN1202 | COLOUR TELEVISION C9PJ Chassis 文件：6.49885 Mbytes Page：126 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1202, BF1202R and BF1202WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package | PHILIPS 飞利浦 | | ||
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1202, BF1202R and BF1202WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Transmissive Optical Sensor with Phototransistor Output Description This device has a compact construction where the emitting-light sources and the detectors are located face-to-face on the same optical axis. The operating wavelength is 950 nm. The detector consists of a phototransistor. Features ● Compact construction ● No setting efforts ● Polyc | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Battery power unit 文件：123.15 Kbytes Page：24 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Battery power unit 文件：123.15 Kbytes Page：24 Pages | PHILIPS 飞利浦 | |
RN1202产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1202
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
24+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-92S |
2000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
TO92 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
TOSHIBA |
25+23+ |
New |
30897 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-92S |
9800 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-92S |
20000 |
只做原装 |
|||
TOSHIBA |
12+ |
TO-92S |
20100 |
全新 发货1-2天 |
|||
24+ |
5000 |
公司存货 |
|||||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO92 |
58000 |
只做全新原装进口现货 |
|||
TOS |
NA |
8553 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
RN1202芯片相关品牌
RN1202规格书下载地址
RN1202参数引脚图相关
- sa950
- sa28
- s9018
- s9015
- s9014
- s9013
- s8550
- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1226
- RN1225
- RN1224
- RN1223
- RN1222
- RN1221
- RN1220E
- RN1220B
- RN1220A
- RN1220
- RN122
- RN1218
- RN1217
- RN1216
- RN1215
- RN1214
- RN1211
- RN1210
- RN1209
- RN1208
- RN1207
- RN1206
- RN1205
- RN1204
- RN1203
- RN1201
- RN114
- RN112
- RN1118
- RN1117
- RN1116
- RN1115
- RN1114
- RN1113F
- RN1113
- RN1112F
- RN1112
- RN1111F
- RN1111
- RN1110F
- RN1110
- RN1109F
- RN1109
- RN1108F
- RN1108
- RN1107
- RN1106
- RN1105
- RN1104
- RN1103
- RN1102
- RN1101
- RN1018
- RN1017
- RN1016
- RN1015
- RN1014
- RN1013
RN1202数据表相关新闻
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
- P109
