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RN1109晶体管资料

  • RN1109别名：RN1109三极管、RN1109晶体管、RN1109晶体三极管

  • RN1109生产厂家：日本东芝公司

  • RN1109制作材料：Si-N+R

  • RN1109性质：表面帖装型 （SMD）

  • RN1109封装形式：贴片封装

  • RN1109极限工作电压：50V

  • RN1109最大电流允许值：0.1A

  • RN1109最大工作频率：<1MHZ或未知

  • RN1109引脚数：3

  • RN1109最大耗散功率：0.1W

  • RN1109放大倍数：

  • RN1109图片代号：H-15

  • RN1109vtest：50

  • RN1109htest：999900

  • RN1109atest：0.1

  • RN1109wtest：0.1

  • RN1109代换 RN1109用什么型号代替：DTC144WE,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RN1109

Bias resistor built-in transistor (BRT)

Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2109\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;

TOSHIBA

东芝

RN1109

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

文件：175.13 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

RN1109

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

文件：335.78 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

RN1109

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

文件：346.36 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

RN1109CT

Bias resistor built-in transistor (BRT)

Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2109CT\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC 0.05 A \nCollector-emitter voltage VCEO 20 V ;

TOSHIBA

东芝

RN1109MFV

Bias resistor built-in transistor (BRT)

Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2109MFV\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;

TOSHIBA

东芝

RN1109MFV

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)

Applications • Switching • Inverter Circuits • Interfacing • Driver Circuits Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Ultra-small package, suited to very high density mounting (3) The integrated bias resistor reduces the number of external parts req

TOSHIBA

东芝

RN1109,LF(CT

封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ETC

知名厂家

RN1109,LXHF(CT

封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K, 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ETC

知名厂家

RN1109ACT

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

文件：170.93 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

RN1109CT

Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

文件：157.6 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

RN1109F

丝印代码：XJ；Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

文件：346.36 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

BF1109

N-channel dual-gate MOS-FETs

DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1109, BF1109R and BF1109WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package

PHILIPS

飞利浦

BF1109R

N-channel dual-gate MOS-FETs

DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1109, BF1109R and BF1109WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package

PHILIPS

飞利浦

BF1109WR

N-channel dual-gate MOS-FETs

DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1109, BF1109R and BF1109WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package

PHILIPS

飞利浦

ON1109

Photo Interrupter

For contactless SW, object detection Outline ON1109 is a photocoupler in which a high efficiency GaAs infrared light emitting diode is used as the light emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as the light detecting element. The two elements are arranged so as to f

PANASONIC

松下

AR1109

RECTIFIER DIODE

文件：166.81 Kbytes Page：4 Pages

POSEICO

RN1109产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name：

    SOT-416 (SSM)

  • Width×Length×Height(mm)：

    1.6 x 1.6 x 0.7

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Polarity：

    NPN

  • Internal Connection：

    Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：

    47

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：

    22

  • Q1VCEO (Max)(V)：

    50

  • Q1IC (Max)(A)：

    0.1

  • AEC-Q101：

    Qualified(*)

RN1109供应商更多...

更新时间：2026-8-4 17:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市振宏微科技有限公司
RN1109MFV(TPL3)
TOSHIBA
25+
NA
30184
专做原装正品,假一罚百!
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深圳市凯睿晟科技有限公司
RN1109
Bychip/百域芯
21+
SOT-523
30000
优势供应 品质保障 可开13点发票
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深圳市华斯顿科技有限公司
RN1109MFVTPL3
TOSHIBA
25+23+
New
37201
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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深圳市科恒伟业电子有限公司
RN1109MFV(TL3PAV)
TOSHIBA/东芝
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SOT723
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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深圳市创新迹电子有限公司
RN1109MFVL3HLSF
TOSHIBA
22+
SOT723
20000
公司只做原装 品质保障
询价
深圳市能元时代电子有限公司
RN1109F
TOSHIBA
23+
SOT423
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
深圳市盈慧通电子有限公司
RN1109
TOSHIBA/东芝
2511
SOT-423
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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上海金庆电子技术有限公司
RN1109MFV
TOSHIBA
14+
SOT623
3316
全新 发货1-2天
询价
深圳市东来宝电子科技有限公司
RN1109
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-523
9624
郑重承诺只做原装进口现货
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
RN1109MFV
TOSHIBA
2023+
SOT623
50000
原装现货
询价

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