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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
RN1109ACT	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：170.93 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1109ACT	Bias resistor built-in transistor (BRT)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1109ACT(TPL3)	封装/外壳：SC-101，SOT-883 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	ETC 知名厂家	ETC
1109	1109 Process Pressure Gauge FEATURES PLUS!™ Performance dampens vibration, shock and pulsation effects Solid front design with full blowout back Epoxy coated system offers superior corrosion resistance Rugged design	ASHCROFT 雅斯科	ASHCROFT
AAT1109A	ONE-CHANNEL BOOST SWITCHING REGULATOR General Description The AAT1109A is a one-channel switching regulator control IC incorporating a soft start function and a short circuit protection function. Each device consists of an on-chip voltage reference, error amplifier, pulse width modulation controller, under-voltage protection, soft s	ANALOGICTECH Advanced Analogic Technologies	ANALOGICTECH
1109	PRI TRANSFORMERS 1500 Vrms Isolation 文件：55.7 Kbytes Page：1 Pages	XFMRS	XFMRS
AAT1109	ONE-CHANNEL STEP-UP PWM CONTROLLER 文件：592.95 Kbytes Page：18 Pages	AAT 类比科技	AAT
AAT1109A	ONE-CHANNEL BOOST SWITCHING REGULATOR 文件：289.71 Kbytes Page：10 Pages	AAT 类比科技	AAT

类型
描述
型号
RN1109ACT
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN1109ACT供应商更多...

更新时间：2025-10-4 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	RN1109F	TOSHBA	24+	NA/	2327	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	RN1109F	TOSHIBA	24+	423	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
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深圳市诺美思科技有限公司	RN1109F	TOSHIBA		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	RN1109MFV	TOSHIBA	2023+	SOT623	50000	原装现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	RN1109FV	TOSHIBA	1923+	SOT623	1813	原盒原包装公司现货价格可谈!	询价
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RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14