1.25 Watt DIP8 Sigle Output

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1.25 Watt DIP8 Single Output

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封装/外壳：8-DIP 模块，4 引线 包装：管件 描述：DC DC CONVERTER 9V 1.25W 电源 - 板安装 直流转换器

封装/外壳：8-DIP 模块，4 引线 包装：管件 描述：DC DC CONVERTER 9V 1.25W 电源 - 板安装 直流转换器

隔离型DC/DC 电源

隔离型DC/DC 电源

RN 系列紧凑型 1.25 W 单路输出转换器特别适用于所需功率高于 1 W 的应用，但因空间限制，2 W 转换器并不适用。该转换器系列在工业环境下的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C（无需降额），工作温度最高可达 100°C（需要降额）。选项包括 1 kVDC 或 2 kVDC 隔离和连续短路保护 (/P)。 • 1 kVDC/1 s 或 2 KVDC/1 s 基本隔离电压\n• UL94V-0 封装材料\n• 效率可达 85%\n;

隔离型DC/DC 电源

RN 系列紧凑型 1.25 W 单路输出转换器特别适用于所需功率高于 1 W 的应用，但因空间限制，2 W 转换器并不适用。该转换器系列在工业环境下的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C（无需降额），工作温度最高可达 100°C（需要降额）。选项包括 1 kVDC 或 2 kVDC 隔离和连续短路保护 (/P)。 • 1 kVDC/1 s 或 2 KVDC/1 s 基本隔离电压\n• 连续短路保护（可选）\n• UL94V-0 封装材料\n• 无需散热器\n• 效率可达 85%;

1.25 Watt DIP8 Single Output

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1.25 Watt DIP8 Single Output

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L,S BAND POWER GaAs FET?

DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP.

L,S BAND POWER GaAs FET?

DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP.

0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output

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1 Watt SIP4 & SIP7 Single Output

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1 Watt SIP4 Micro Size Single Output

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