位置：首页 > IC中文资料第9924页 > RN-0909SP
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN-0909SP | 1.25 Watt DIP8 Single Output 文件：89 Kbytes Page：3 Pages | RECOM |   | |
L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP. | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP. | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output 文件：101.43 Kbytes Page：3 Pages | RECOM | | ||
1 Watt SIP4 & SIP7 Single Output 文件：101.95 Kbytes Page：3 Pages | RECOM | | ||
1 Watt SIP4 Micro Size Single Output 文件：97.15 Kbytes Page：3 Pages | RECOM | |
RN-0909SP产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN-0909SP
- 制造商
RECOM
- 制造商全称
Recom International Power
- 功能描述
1.25 Watt DIP8 Single Output
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RECOM |
23+ |
SIPDIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
26+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
RECOM |
25+ |
电源模块 |
1520 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
RECOM |
25+ |
DIP |
55000 |
原厂渠道原装正品假一赔十 |
RN-0909SP规格书下载地址
RN-0909SP参数引脚图相关
- sa950
- sa28
- s9018
- s9015
- s9014
- s9013
- s8550
- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1103F
- RN1103
- RN1102F
- RN1102
- RN1101F
- RN1101
- RN104P
- RN102P
- RN102
- RN1011
- RN1010
- RN1009
- RN1008
- RN1007
- RN1006
- RN1005
- RN1004
- RN1003
- RN1002
- RN1001
- RN-093.3SHP
- RN-093.3S/HP
- RN-093.3S/H
- RN-093.3S
- RN-0924S/P
- RN-0924S/HP
- RN-0924S/H
- RN-0924S
- RN-0915SP
- RN-0915SHP
- RN-0915S/P
- RN-0915S/HP
- RN-0915S/H
- RN-0915S
- RN-0912SP
- RN-0912SHP
- RN-0912S/P
- RN-0912S/HP
- RN-0912S/H
- RN-0912S
- RN-0909SHP
- RN-0909S/P
- RN-0909S/HP
- RN-0909S/H
- RN-0909S
- RN-0907SP
- RN-0907SHP
- RN-0907S/P
- RN-0907S/HP
- RN-0907S/H
- RN-0907S
- RN-0905SP
- RN-0905SHP
- RN-0905S/P
- RN-0905S/HP
- RN-0905S/H
- RN-0905S
- RN0805-10K-0.1
- RN07
- RN0603-15K-0.1
- RMXS5W
- RMXS50T
- RMXS3W
- RMXS2W
- RMXS1W
- RMX5W
- RMX50T
- RMX3W
- RMX-350
- RMX2W
- RMX25T
- RMX2_12
- RMX1W
- RMW4BL
- RMW2BL
- RMU2U
- RMS-5MH
- RMS-5L+
- RMS-5L
- RMS-5H+
RN-0909SP数据表相关新闻
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
- P109
- P110
