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RM2102

20V N-Channel MOSFET

ETC

知名厂家

Reference Meter

AME

安茂微电子

Reference Meter

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SAMES

Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

NTE

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

SYSTEM RESET IC

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日本无线

SYSTEM RESET IC

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日本无线

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日本无线

更新时间:2026-3-14 11:01:00
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