位置：首页 > IC中文资料第2852页 > NTE2102
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTE2102 | IntegratedCircuitNMOS,1KStaticRAM(SRAM),350ns Description: TheNTE2101isahigh–speed1024x1bitstaticrandomaccessread/writememoryina16–LeadDIPtypepackagedesignedusingN–Channeldepletionmodesilicongatetechnology.Staticstoragecellseliminatetheneedforclockorrefreshcircuitry. LowthresholdsilicongateN–Cha | NTE NTE Electronics, Inc |  |   |
NTE2102 | MICROPROCESSOR&MEMORYCIRCUITS 文件：165.96 Kbytes Page：1 Pages | NTE NTE Electronics, Inc | | |
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| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1024 BIT FULLY DECODED STATIC MOS RANDOM ACCESS MEMORY | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
NTE2102产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTE2102
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
IC-MOS 1K SRAM
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
IC, SRAM, 1KBIT, SERIAL, 350NS, 16-DIP; Memory
- Size
1Kbit; Memory
- Configuration
1K x 1; Supply Voltage
- Min
4.75V; Supply Voltage
- Max
5.25V; Memory Case
- Style
DIP; No. of
- Pins
16; Access
- Time
350ns; Operating Temperature
- Min
0C
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
SRAM Chip Async Single 5V 1K-Bit 1K x 1 350ns 16-Pin PDIP
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
OTAX |
2023+ |
NA |
5957 |
||||
SANYO/三洋 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
SANYO |
20+ |
TO-3P |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
NTE |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
SANYO |
TO-3P |
2000 |
|||||
OTAX |
DIP-3 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
SANYO/三洋 |
22+ |
TO-3P |
9000 |
原装正品 |
|||
新 |
37 |
全新原装 货期两周 |
|||||
SANYO/三洋 |
22+ |
TO-3P |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
NTE |
23+ |
65480 |
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