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RM2102DSE

Reference Meter

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SAMES

RM2102DSE

Reference Meter

AME

安茂微电子

Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

NTE

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

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NJRC

日本无线

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NJRC

日本无线

更新时间:2026-3-14 14:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RAYDIUM
23+
SOT23-5
300
全新原装正品现货,支持订货
RAYDIUM
22+
SOT23-5
20000
公司只做原装 品质保障
RAYDIUM
2450+
SOT153
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
PMC
22+
BGA
3000
原装正品,支持实单
24+
5000
公司存货
RAYDIUM
2023+
SOT23-5
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RAYDIUM
24+
SOT153
60000
全新原装现货
RAYDIUM
24+
SOT-25
35968
原装正品现货供应
RAYDIUM
23+
SOT-23
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
AirBom
三年内
1983
只做原装正品

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