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RJU36B2WDPK-M0

Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode

Features • Ultra fast reverse recovery time: trr = 40 ns typ. (at IF = 20 A, di/dt = 100 A/μs) • Low forward voltage: VF = 1.1 V typ. (at IF = 20 A) • Low reverse current: IR = 1 μA max. (at VR = 360 V)

RENESAS

瑞萨

RJU36B2WDPK-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJU36B2WDPK-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode

更新时间:2025-8-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
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RENESAS
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RENESAS/瑞萨
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