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P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheGT250P10Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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谷峰半导体

GOFORD

iscP-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=-25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=63mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·Besuitablefors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

4VDrivePchMOSFET

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

4VDrivePchMOSFET

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2025-5-21 8:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
23+
TO-263(D2PAK)
360000
交期准时服务周到
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当天发货全新原装现货
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明嘉莱只做原装正品现货
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郑重承诺只做原装进口现货
ROHM/罗姆
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原装现货假一赔十
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NA/
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