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RJP60V0DPM-80

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

600V - 22A - IGBT Application: Inverter Features  High breakdown-voltage  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. (at IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Trench gate and thin wafer technology (G6

RENESAS

瑞萨

RJP60V0DPM-80

IGBTs

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600V - 22A - IGBT Application: Inverter

600V - 22A - IGBT Application: Inverter Features  High breakdown-voltage  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. (at IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Trench gate and thin wafer technology (G6

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600V - 22A - IGBT Application: Inverter

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更新时间:2025-12-22 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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原装进口公司现货假一赔百
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

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    www.hfxcom.com

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  • RJR26FT10CM,RJR26FW101P,RJR26FW

    RJR26FT10CM,RJR26FW101P,RJR26FW

    2020-5-16
  • RJK03C9DNS-00-J5

    RJK03C9DNS-00-J5 深圳市拓亿芯电子有限公司,专业代理,分销世界名牌电子元器件,是一家 专业化,品牌化的电子元器件,质量第一,诚信经营。

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    2019-3-7