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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 80 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta

RENESAS

瑞萨

RJP60F4DPQ-A0#T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP60F4DPQ-A0#T0

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    IGBT - Rail/Tube

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    IGBT 600V 60A 235.8W TO-247A

更新时间:2025-11-25 17:41:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
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