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SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2025-5-20 9:14:01
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